近日发布行业报告指出，存储市场正面临新一轮价格波动。全球存储行业巨头三星明确表示，不会推迟DDR4内存产品的停产（EOL）计划，这一决策直接推动DDR4现货价格涨幅显著超过新一代DDR5产品，市场预计2026年DDR4价格或将持续走高。

报告显示，三星的停产决定打破了市场对DDR4供应延续的预期，将引发深远行业连锁反应。随着停产计划的推进，2026年DDR4内存供应量有望出现断崖式下跌。这种供应端的收缩将人为造成产品稀缺性，可能导致DDR4价格出现倒挂现象，其每Gb（千兆比特）单价或将攀升至高位，甚至超过部分先进制程存储产品。

市场数据印证了价格上涨趋势。主流型号DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片的现货均价，已从12月24日当周的22.235美元，上涨6.80%至12月30日当周的23.746美元。

除DDR4内存外，NAND Flash市场也同步处于上涨通道。受2026年第一季度合约价格看涨的强烈预期影响，NAND Flash现货价格进一步走高。本周，512Gb TLC晶圆的现货价格大涨13.35%，达到13.055美元。目前，现货贸易商对后续价格走势持乐观态度，在出货环节坚持高价策略。